mos管增强型与耗尽型的区别在哪里？
1、PMOS的值不同。
（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。
（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。
2、原理不同。
最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。
3、控制方法不同。
（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。
（2）、增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。
扩展资料：
mos管的工作原理：
（1）、做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管，MOS管有很多种类，也有很多作用，做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
（2）、无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的，MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
（3）、MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
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13743939478：结型和绝缘栅型区别,有什么不同?缘栅型区别增强型和耗尽型的区别?
盛甘壮答：2.增强型和耗尽型的区别？结型场效应管，有N沟道和P沟道两类 绝缘栅型场效应管，简称MOS场效应管（MOSFET）。它也有N沟道和P沟道两类，每类按结构不同又分为增强型和耗尽型。当UGS＝0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS＝0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。具体...
13743939478：...什么是耗尽型,什么是增强型,有什么区别,各有什么用途?
盛甘壮答：存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它 可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.<BR>绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型 两种,我们称...
13743939478：为什么增强型MOS管在电子电路中应用很少?
盛甘壮答：驱动复杂性：要关闭耗尽型MOS管，需要施加负栅源电压减少沟道中的载流子浓度。这比只需施加正栅源电压来开启增强型MOS管要复杂得多，对驱动电路的要求也更高。静态功耗：耗尽型MOS管在无栅极电压作用下也能导通，没有信号传输时也会有漏电流存在，会有一定的静态功耗。可靠性与稳定性：耗尽型MOS管对...
13743939478：请教mos管 作用
盛甘壮答：是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
13743939478：mos场效应管p型和n型如何区分
盛甘壮答：我们区分类型，一般就是看型号，比如IRF530，IRF540，IRF3205，IRPF250等这些都是很常见的增强型N-MOSFET，而对应的IRF9530，IRF9540就是增强型P-MOSFET，耗尽型的两种，我至今还没在实际电路中看到过具体的器件。前面一个朋友的说法有一些欠妥，比如结型管（J-FET）与MOSFET并不互相包含，反而是并列关系...
13743939478：mos管的作用及原理
盛甘壮答：MOS管的种类 MOS管根据不同的工作方式和结构特点，可以分为多种类型，例如N沟道MOS管、P沟道MOS管、增强型MOS管和耗尽型MOS管等。其中N沟道MOS管和P沟道MOS管是最常见的两种类型，它们的区别在于载流子的类型不同。N沟道MOS管中的载流子为负电子，P沟道MOS管中的载流子为正空穴。增强型MOS管和耗尽型...
13743939478：在绝缘栅型场效应管N沟道增强型MOS管中,为什么Vds增大,反型层靠近漏...
盛甘壮答：从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时...
13743939478：耗尽型场效应管在UGS为正,为负,为0三种情况下,都有可能工作在恒流...
盛甘壮答：你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。当GS为正电压时，G上为正电，会把衬底中的电子地吸引到G的对面（不会到G，原因是衬底与G之间有一道绝缘栅，电子无法越过，这也是MOS管名字的来源），由此加厚反型层（增强型与耗尽型的区...
13743939478：场效应管的问题
盛甘壮答：有四种可能：1、增强型MOS管；2、耗尽型MOS管；3、耗尽型MOS管；4、结型管。见图：。
13743939478：N沟道耗尽型MOS管,为什么uGS为正的时候沟道变宽,uGS为负的时候沟道变窄...
盛甘壮答：N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。当GS为正电压时，G上为正电，会把衬底中的电子更多地吸引到G的对面（不会到G，原因是衬底与G之间有一道绝缘栅，电子无法越过，这也是MOS管名字的来源），由此加厚反型层（增强型与耗尽型的区别就在于，增强型的反型层必须是当UGS〉UGS...
